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霍爾效應的產生是由于運動電荷受磁場中洛倫茲力作用的結果

更新時間：2013-09-23 11:13:40

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應用介紹

以下是引用片段：
TAG:氣體傳感器

一、霍爾元件的基本工作原理

( 一)霍爾效應

圖2- 32 所示的半導體薄片， 若在它的兩端通以控制電流I， 在薄片的垂直方向上施加磁

感應強度為B 的磁場，則在薄片的另兩側會產生一個大小與控制電流I 和磁感應強度B 的

乘積成比例的電動勢UH ， 這個電動勢稱為霍爾電勢。這一現象稱為霍爾效應。該半導體薄片稱為霍爾元件。

( 二)基本原理

霍爾效應的產生是由于運動電荷受磁場中洛倫茲力作用的結果。假設在N 型半導體薄片上通以電流I，如圖2-32
 所示，則半導體中的載流子〈電子〉沿著和電流相反的方向運動(電子速度為v) ，由于在垂直于半導體薄片平面
的方向上施加磁感應強度為B 的磁場，所以電子受到洛倫茲力fL的作用，向一邊偏轉(見圖2- 32 中虛線方向)，并
使該邊形成電子積累，而另一邊則為正電荷積累，于是形成電場。

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